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申请/专利权人：胜高股份有限公司
申请日：2022-09-01
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117940618A
主分类号：C30B15/10
分类号：C30B15/10;C30B29/06
优先权：["20210914 JP 2021-149528"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明提供一种即使使用于多重提拉等长时间的晶体提拉也难以消耗的坩埚保护片。本发明的坩埚保护片21为使用于通过在一次提拉批次中加热硅原料的加热器的通电时间为500小时以上的CZ法进行的单晶硅的提拉且铺设在石英坩埚与碳制支承坩埚之间的碳制板片，当准备容积为2000cc且通气口31的开口面积为490mm2的测定槽30、并在将该测定槽30内减压至200Pa以下的状态下将通气口31连接至坩埚保护片21的一个主面侧、且将坩埚保护片21的另一个主面侧向大气开放时，自开始该大气开放后经过30分钟时的测定槽30内的压力变化量为104.9Pa以下。
主权项：1.一种坩埚保护片，其为用于通过在一次提拉批次中加热硅原料的加热器的通电时间为500小时以上的CZ法进行的单晶硅的提拉且铺设在石英坩埚与碳制支承坩埚之间的碳制坩埚保护片，其特征在于，当准备容积为2000cc且通气口的开口面积为490mm2的测定槽、并在将该测定槽内减压至200Pa以下的状态下将所述通气口连接至所述坩埚保护片的一个主面侧、且将所述坩埚保护片的另一个主面侧向大气开放时，自开始该大气开放后经过30分钟时的所述测定槽内的压力变化量为104.9Pa以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 胜高股份有限公司 坩埚保护片及使用其的单晶硅的制造方法
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