申请/专利权人：浙江集迈科微电子有限公司

申请日：2020-08-24

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN111952196B

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L21/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明提供一种凹槽芯片嵌入工艺，包括以下步骤：a、提供衬底，在衬底正面刻蚀不同深度的TSV，电镀使金属填满TSV，抛光去除衬底正面金属，在衬底正面制作RDL和焊盘，对衬底正面做临时键合，衬底背面做减薄使长的TSV背部露头，得到第一衬底；b、在第一衬底背面刻蚀空腔，使短的TSV底部露出，沉积钝化层，表面涂布光刻胶，曝光显影使TSV底部露出，刻蚀钝化层使TSV底部金属露出；c、在空腔内嵌入芯片，填充芯片和空腔的缝隙，在芯片表面制作RDL和焊盘，得到最终结构。本发明的凹槽芯片嵌入工艺，通过光刻胶来保护空腔底部的方式，用刻蚀工艺对空腔底部TSV进行开口，能避免整面刻蚀对空腔底部钝化层的损伤，有利于TSV底部的钝化层开口，破坏空腔底部钝化层。

主权项：1.一种凹槽芯片嵌入工艺，其特征在于，包括以下步骤：a、提供衬底，在衬底正面刻蚀不同深度的TSV，电镀使金属填满TSV，抛光去除衬底正面金属，在衬底正面制作RDL和焊盘，对衬底正面做临时键合，衬底背面做减薄使长的TSV底部露出，得到第一衬底；b、在第一衬底背面刻蚀空腔，使短的TSV底部露出，沉积钝化层，表面涂布光刻胶，曝光显影使TSV底部露出，刻蚀钝化层使TSV底部金属露出；c、在空腔内嵌入芯片，填充芯片和空腔的缝隙，在芯片表面制作RDL和焊盘，得到最终结构；步骤（b）的具体步骤为：（b1）通过光刻和干法刻蚀的方式在第一衬底背面刻蚀空腔，使短的TSV底部露出；通过干法刻蚀或者湿法腐蚀TSV底部钝化层，使金属露出；（b2）沉积钝化层，表面涂布光刻胶，曝光显影使TSV底部露出，刻蚀钝化层使TSV底部金属露出；（b3）去除光刻胶，清洗衬底，解键合；或者步骤（b）的具体步骤为：（b1）通过光刻和干法刻蚀的方式在第一衬底背面刻蚀空腔，使短的TSV底部露出；通过干法刻蚀或者湿法腐蚀TSV底部钝化层，使金属露出；（b2）沉积钝化层和金属层；（b3）表面涂布光刻胶，曝光显影使TSV底部露出，刻蚀金属层和钝化层使TSV底部金属露出；或者步骤（b）的具体步骤为：（b1）通过光刻和干法刻蚀在第一衬底背面刻蚀空腔，使短的TSV底部露出；通过干法刻蚀或者湿法腐蚀TSV底部钝化层，使金属露出；（b2）沉积钝化层；（b3）通过干法或湿法刻蚀使空腔底部TSV侧壁露出金属；所述步骤（a）的具体步骤为：（a1）通过光刻和刻蚀工艺在衬底正面制作不同深度的TSV；（a2）在衬底正面沉积绝缘层，在绝缘层上制作种子层；（a3）电镀铜，使铜金属充满TSV，去除衬底表面铜，使衬底表面只剩下填铜；（a4）通过光刻和电镀的工艺在衬底正面制作RDL和焊盘；（a5）对衬底正面做临时键合，然后减薄衬底背面，使TSV底部露出，在背面做钝化层，抛光使TSV底部金属露出，然后制作RDL和焊盘，得到第一衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江集迈科微电子有限公司 凹槽芯片嵌入工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD