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申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院
申请日：2021-02-10
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN114910853B
主分类号：G01R33/38
分类号：G01R33/38;G01R33/34
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开
摘要：本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，具体为一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件。第一电极层和所述第二电极层相对设置的部分构成所述第一结构电容。所述第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影不重叠的部分可以作为传输导线，起到等效电感的作用。所述第一结构电容和所述等效电感可以形成LC振荡电路。用在谐振频率较低的场合时，具有较小容值的所述第一结构电容就能使得所述磁场增强组件所在回路的谐振频率降低到磁共振系统射频线圈的频率，从而能够有效提高磁场强度。
主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层（100），包括相对设置的第一表面（101）和第二表面（102）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），所述第一电极层（110）覆盖部分所述第一表面（101）；第二电极层（120），设置于所述第二表面（102），所述第二电极层（120）覆盖部分所述第二表面（102），所述第一电极层（110）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第二电极层（120）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠形成第一结构电容（150），其中，所述第一电介质层（100）包括相对的第一端（103）和第二端（104）；所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）为宽度相同的条形，所述第一电极层（110）由所述第二端（104）向所述第一端（103）延伸，所述第二电极层（120）由所述第一端（103）向所述第二端（104）延伸；所述第一电极层（110）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第二电极层（120）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠形成所述第一结构电容（150）；第三电极层（130），设置于所述第一表面（101），与所述第一电极层（110）间隔设置，所述第三电极层（130）由所述第一端（103）向所述第二端（104）延伸，并覆盖部分所述第一表面（101），所述第二电极层（120）与所述第三电极层（130）电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学;北京清华长庚医院 一种MRI图像增强超构表面阵列单元组件
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