龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：应美盛股份有限公司
申请日：2021-12-10
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN116601107B
主分类号：B81C1/00
分类号：B81C1/00
优先权：["20201215 US 63/199,240"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2023.11.24#实质审查的生效;2023.08.15#公开
摘要：一种方法，其包括对设置在第一管芯和第二管芯之间的凸片区的区域进行凸片划切。凸片区在结构上将第一管芯连接至第二管芯，第一管芯与第二管芯各自包括与CMOS器件共晶接合的MEMS器件。凸片区包括设置在熔融接合氧化物层之上的处理晶圆层，该熔融接合氧化物层设置在ACT层上。凸片区位于CMOS凸片区上方，其与第一和第二管芯形成其中的空腔。凸片划切切割穿过处理晶圆层，并留下在处理晶圆层下方的熔融接合氧化物层的一部分，从而在凸片区内形成氧化物系链。氧化物系链将凸片区维持在适当的位置并且维持在CMOS凸片区上方。在对第一区进行凸片划切之后，移除凸片区。
主权项：1.一种方法，其包括：在设置在第一管芯和第二管芯之间的凸片区中形成预切割，其中所述凸片区在结构上将所述第一管芯连接至所述第二管芯，其中所述第一管芯包括与第一半导体器件共晶接合的第一微机电系统MEMS器件，以及其中所述第二管芯包括与第二半导体器件共晶接合的第二MEMS器件，其中所述凸片区包括设置在熔融接合氧化物层之上的处理晶圆层，所述熔融接合氧化物层设置在致动器ACT层上，其中所述凸片区位于半导体凸片区上方，以及其中所述凸片区、第一管芯、第二管芯和半导体凸片区形成其中的空腔；对所述凸片区的对应于预切割的第一区进行凸片划切，其切割穿过所述处理晶圆层、熔融接合氧化物层以及ACT层，以暴露所述半导体凸片区；对所述凸片区的第二区进行凸片划切，所述划切切割穿过所述处理晶圆层并留下下方的所述ACT层的一部分以形成ACT系链，其中所述ACT系链使所述凸片区在结构上维持在适当的位置并且维持在所述半导体凸片区的上方；以及在对所述第一区和第二区进行凸片划切之后，移除所述凸片区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应美盛股份有限公司 MEMS凸片移除方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号