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【发明授权】一种低频吸收屏蔽、高频带通的超材料光学窗口_国科大杭州高等研究院_202310922436.5 

申请/专利权人:国科大杭州高等研究院

申请日:2023-07-26

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN116632553B

主分类号:H01Q15/00

分类号:H01Q15/00;H01Q17/00;H05K9/00;H01Q1/42

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2023.09.08#实质审查的生效;2023.08.22#公开

摘要:本发明的一种低频吸收屏蔽、高频带通的超材料光学窗口,包括多个周期性排列的结构单元,每个各结构单元均由包括透明介质基板、网栅透明谐振结构和开孔型网栅透明频率选择表面,所述网栅透明谐振结构深刻蚀到所述透明介质基板上表面,所述开孔型网栅透明频率选择表面深刻蚀到所述透明介质基板的下表面,且呈N×N个周期性排列。本发明的一种低频吸收屏蔽、高频带通的超材料光学窗口,提供了一种集光学透明、微波宽带吸收、电磁屏蔽、电磁隧穿和环境适应性等多功能一体化的光学窗口。

主权项:1.一种低频吸收屏蔽、高频带通的超材料光学窗口,其特征在于:包括多个周期性排列的结构单元,各结构单元包括透明介质基板、网栅透明谐振结构和开孔型网栅透明频率选择表面,所述网栅透明谐振结构深刻蚀到所述透明介质基板上表面,所述开孔型网栅透明频率选择表面深刻蚀到所述透明介质基板的下表面,且呈N×N个周期性排列;所述网栅透明谐振结构包括若干同心的方形开口环,同心的方形开口环由二个边长不同的方形开口环同心设置,每个方形开口环的开口有4个,各开口的宽度相同设置,各开口呈四重中心对称分布且内外环开口位置以45°角度相互交错,所述方形开口环由第一微金属网栅呈开口方环环绕形成,所述第一微金属网栅为金属周期网栅,所述开孔型网栅透明频率选择表面包括第二透明网栅层和第二周期开孔阵列,所述第二透明网栅层为金属周期网栅,所述第二周期开孔阵列包括若干十字型开孔环,各十字型开孔环呈周期性分布在第二透明网栅层,所述第二周期开孔阵列的周期小于所述同心的方形开口环的周期。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国科大杭州高等研究院 一种低频吸收屏蔽、高频带通的超材料光学窗口

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