申请/专利权人：苏州晶界半导体有限公司

申请日：2020-02-12

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113257912B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/45

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管,其中器件的栅极凹槽结构贯穿GaN缓冲层和GaN沟道层，使漏极与源极在GaN缓冲层与GaN沟道层电气隔离，有效抑制氮化物场效应晶体管电流崩塌；本发明中一种增强型氮化物场效应晶体管还包括氮化物材料通过激光剥离和衬底转移工艺技术，键合至高导热绝缘基板上，提升氮化物场效应晶体管热稳定性。优点：通过优化工艺流程和器件设计结构，有效抑制氮化物场效应晶体管电流崩塌和提升氮化物场效应晶体管热稳定性。

主权项：1.一种增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，包括：基板；漏极金属连接层，所述漏极金属连接层形成于所述基板上；源极金属连接层，所述源极金属连接层形成于所述基板上；漏极，所述漏极形成于所述漏极金属连接层上；源极，所述源极形成于所述源极金属连接层上；绝缘介质层，所述绝缘介质层形成于所述漏极金属连接层和所述源极金属连接层上，并所述绝缘介质层的底端至少部分形成于所述漏极金属连接层和所述源极金属连接层之间的所述基板上；AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层形成于所述绝缘介质层上，并所述AlGaN势垒层的底端部分形成于所述漏极和所述源极上；AlN插入层，所述AlN插入层形成于所述AlGaN势垒层上；GaN沟道层，所述GaN沟道层形成于所述AlN插入层上；GaN缓冲层，所述GaN缓冲层形成于所述GaN沟道层上；栅介质层，所述栅介质层形成于所述GaN缓冲层上，并所述栅介质层的底端至少部分嵌入所述AlGaN势垒层内部；栅极，所述栅极形成于所述AlGaN势垒层上方的所述栅介质层上，并位于所述漏极和所述源极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州晶界半导体有限公司 一种增强型氮化物场效应晶体管

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