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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2021-05-27
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN113745116B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
优先权：["20200529 CN 2020104754925"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开
摘要：本公开的实施例涉及超级结器件及其制造方法。该超级结器件包括多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱，多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱交替布置。多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的界面为平面。多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结为陡结。
主权项：1.一种超级结器件，包括：多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱，所述多个第一导电类型柱和所述多个第二导电类型柱交替布置，其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的界面为平面，其中所述多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与所述多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结为陡结，其中所述超级结器件包括有源区和终端区，所述终端区围绕所述有源区，所述多个第一导电类型柱和所述多个第二导电类型柱位于所述有源区和所述终端区中，并且其中所述超级结器件还包括沟槽栅极结构，针对所述沟槽栅极结构的引出结构位于所述有源区中，并且位于所述沟槽栅极结构的顶部，所述终端区中不具有用于所述引出结构的爬坡结构，其中，所述引出结构为位于所述沟槽栅极结构的顶部的接触孔，并且用于将所述沟槽栅极结构电连接到栅电极结构金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结器件及其制造方法
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