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申请/专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日：2021-08-10
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN113725327B
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种GaN基绿光LED外延结构及其制备方法和应用。所述GaN基绿光LED外延结构从下至上包括衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型层、Nplus层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型层；所述Nplus层从下至上包括第一GaN层、第一NGaN层、第二GaN层、第三GaN层、第二NGaN层和第四GaN层。本发明提供的GaN基绿光LED外延结构包括Nplus层，通过Nplus层的设置，能够有效减弱量子阱发光区的极化效应，提高了电子和空穴的复合几率，提升发光效率，同时提升抗静电性能和可靠性。
主权项：1.一种GaN基绿光LED外延结构，其特征在于，从下至上包括衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型层、Nplus层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型层；所述Nplus层从下至上包括第一GaN层、第一NGaN层、第二GaN层、第三GaN层、第二NGaN层和第四GaN层；第一GaN层的厚度为2～6nm；第一NGaN层的厚度为6～12nm、第二GaN层的厚度为1～5nm、第三GaN层的厚度为1～5nm、第二NGaN层的厚度为2～6nm、第四GaN层的厚度为1～5nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州市众拓光电科技有限公司 一种GaN基绿光LED外延结构及其制备方法和应用
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