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申请/专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日：2021-08-03
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN113943920B
主分类号：C23C14/08
分类号：C23C14/08;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/58;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2022.06.10#专利申请权的转移;2022.02.08#实质审查的生效;2022.01.18#公开
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1铜种子层TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
主权项：1.一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，其特征在于，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积；所述步骤c中，将所述沉积形成TCO2薄膜后的硅异质结电池送入所述PVD设备的另一腔室中进行真空退火处理；或者，所述步骤c中，将所述沉积形成TCO2薄膜后的硅异质结电池送入真空退火炉进行真空退火处理；所述真空退火处理的温度为170-230℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司 硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法
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