申请/专利权人：江苏卓远半导体有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220856581U

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本实用新型公开一种IGBT结构，包括背面基区；集电极P+区和阴极N+区；集电极P+区和阴极N+区位于同一平面内且同时覆盖在背面基区的表面，阴极N+区的厚度大于集电极P+区的厚度；FS缓冲区；该FS缓冲区设置在集电极P+区的顶部中央；绝缘隔离区a和绝缘隔离区b；绝缘隔离区a和绝缘隔离区b分别设置在FS缓冲区的两侧且位于集电极P+区的顶部；绝缘隔离区a和绝缘隔离区b的厚度大于FS缓冲区的厚度；N‑基区。本实用新型的有益效果是：本技术方案可以通过将IGBT、FRD集成在同一颗芯片上，有效降低成本、提高芯片的功率密度，并通过设置在背面基区上的绝缘隔离区，实现隔离IGBT和FRD区域的相互影响，改善器件正向导通时的电压折回现象的技术效果。

主权项：1.一种IGBT结构，其特征在于：包括背面基区100；集电极P+区200和阴极N+区300；所述集电极P+区200和阴极N+区300位于同一平面内且同时覆盖在背面基区100的表面，所述阴极N+区300的厚度大于集电极P+区200的厚度；FS缓冲区400；该FS缓冲区400设置在集电极P+区200的顶部中央；绝缘隔离区a501和绝缘隔离区b502；所述绝缘隔离区a501和绝缘隔离区b502分别设置在FS缓冲区400的两侧且位于集电极P+区200的顶部；所述绝缘隔离区a501和绝缘隔离区b502的厚度大于FS缓冲区400的厚度；N-基区600；所述N-基区600的底部覆盖在阴极N+区300、绝缘隔离区a501、FS缓冲区400和绝缘隔离区b502的顶部表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏卓远半导体有限公司 一种IGBT结构

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