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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2023-10-16
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954307A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/18
优先权：["20221028 JP 2022-173157"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：提供贴合晶片的加工方法，解决贴合两张晶片而得的贴合晶片的一个晶片的倒角部的去除耗费时间而生产率差并对另一个晶片造成损伤的问题。该方法包含：坐标生成工序，生成接合层的最外周的坐标；改质层形成工序，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于能去除倒角部的内部而照射，形成多个改质层；和磨削工序，将第二晶片侧保持于卡盘工作台，将第一晶片的背面磨削而薄化。在改质层形成工序中，根据接合层的最外周的坐标将激光光线的多个聚光点按照从第一晶片的径向内侧朝向外侧逐渐接近接合层的方式设定成从最上层的聚光点到最下层的聚光点呈下行台阶状，从通过最下层的聚光点而形成的改质层延伸的裂纹到达接合层的最外周的坐标。
主权项：1.一种贴合晶片的加工方法，该贴合晶片是利用接合层将第一晶片的正面与第二晶片的正面或背面贴合而形成的，该第一晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域并且在外周缘形成有倒角部的外周剩余区域，其中，该贴合晶片的加工方法具有如下的工序：坐标生成工序，检测该接合层的最外周而生成该接合层的最外周的坐标；聚光点设定工序，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线分支成多个激光光线，将分支得到的各激光光线的聚光点设定于不同的位置；改质层形成工序，利用第一卡盘工作台对该第二晶片侧进行保持，将分支得到的该激光光线的聚光点从该第一晶片的背面定位于该第一晶片的相对于该倒角部靠径向内侧的内部而照射该激光光线，在该第一晶片的内部呈环状形成多个改质层；以及磨削工序，在实施了该改质层形成工序之后，利用第二卡盘工作台对该第二晶片侧进行保持，对该第一晶片的背面进行磨削而薄化，在该改质层形成工序中，分支得到的激光光线的聚光点按照从该第一晶片的径向内侧朝向外侧接近该接合层的方式呈下行台阶状而形成多个，从通过最下层的该聚光点而形成的该改质层延伸的裂纹到达通过该坐标生成工序而生成的该接合层的最外周的坐标。
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