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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2023-10-27
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954496A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/088
优先权：["20221027 DE 102022128549.9"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：具有漏极扩展区的场效应晶体管。描述一种场效应晶体管FET100。该FET100具有电介质结构102，所述电介质结构包括栅极电介质1021和屏蔽电介质1022。屏蔽电介质1022比栅极电介质1021更厚并且沿着第一横向方向x1与栅极电介质毗邻或与所述栅极电介质间隔开。FET此外具有第一导电类型的沟道区106，所述沟道区与栅极电介质1021的下侧1051毗邻。FET100同样包括第二导电类型的辅助区108，所述辅助区与栅极电介质1021的下侧1051毗邻并且沿着第二横向方向x2与沟道区106毗邻。第一导电类型的漏极扩展区110与屏蔽电介质1022的下侧1052毗邻。
主权项：1.一种场效应晶体管FET100，所述场效应晶体管具有：电介质结构102，所述电介质结构具有栅极电介质1021和屏蔽电介质1022，其中所述屏蔽电介质1022比所述栅极电介质1021更厚并且沿着第一横向方向x1与所述栅极电介质毗邻或与所述栅极电介质间隔开；第一导电类型的沟道区106，所述沟道区与所述栅极电介质1021的下侧1051毗邻；第二导电类型的辅助区108，所述辅助区与所述栅极电介质1021的下侧1051毗邻并且沿着第二横向方向x2与所述沟道区106毗邻；和第一导电类型的漏极扩展区110，所述漏极扩展区与所述屏蔽电介质1022的下侧1052毗邻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有漏极扩展区的场效应晶体管
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