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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954500A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明提供了一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底一侧面淀积金属形成漏极金属层，之后在碳化硅衬底的另一侧面上淀积生长形成漂移层；在漂移层上通过离子注入方式，分别形成第一阱层和第二阱层，所述漂移层上形成一突起部，该突起部为倒凸字形，阱区包括第一阱层以及第二阱层；通过离子注入，形成源区；通过淀积金属，形成第一源极金属区和第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，淀积形成栅介质层；重新形成阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对通孔淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制造，提高抑制动态雪崩能力。
主权项：1.一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底一侧面淀积金属形成漏极金属层，之后在碳化硅衬底的另一侧面上淀积生长形成漂移层；步骤2、在漂移层上方淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对通孔进行对漂移层进行离子注入，形成第一阱层；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔对漂移层进行离子注入，形成第二阱层，所述漂移层上形成一突起部，该突起部为倒凸字形，阱区包括第一阱层以及第二阱层；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔对漂移层进行离子注入，形成源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及漂移层，淀积金属，形成第一源极金属区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，淀积金属，形成第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，淀积形成栅介质层；步骤8、重新形成阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对通孔淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制造。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法
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