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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-01-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954311A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明提供一种锗硅沟道栅氧化层的形成方法，提供衬底，在衬底上形成有锗硅外延层，去除锗硅外延层上的氧化层；利用热氧化的方法在锗硅外延层上形成目标厚度的第一栅氧化层，第一氧化层作为锗富集的界面层；利用淀积的方法在第一氧化层上形成第二栅氧化层；利用第一次退火对第二栅氧化层进行氧空位修复以及致密化处理，使得第一栅氧化层和锗硅外延层的界面处形成第三栅氧化层；利用第二次退火以提高锗硅外延层中锗的均匀度。本发明方法形成的栅氧质量较高，同时减少界面缺陷，提升界面质量，同时，提升SiGe沟道Ge的均匀度，从而提升器件的可靠性和电性。
主权项：1.一种锗硅沟道栅氧化层的形成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有锗硅外延层，去除所述锗硅外延层上的氧化层；步骤二、利用热氧化的方法在所述锗硅外延层上形成目标厚度的第一栅氧化层，所述第一氧化层作为锗富集的界面层；步骤三、利用淀积的方法在所述第一氧化层上形成第二栅氧化层；步骤四、利用第一次退火对所述第二栅氧化层进行氧空位修复以及致密化处理，使得所述第一栅氧化层和所述锗硅外延层的界面处形成第三栅氧化层；步骤五、利用第二次退火以提高所述锗硅外延层中锗的均匀度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 锗硅沟道栅氧化层的形成方法
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