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【发明公布】一种高效贝塞尔太赫兹辐射产生装置及产生方法_中国科学院上海高等研究院_202410198608.3 

申请/专利权人:中国科学院上海高等研究院

申请日:2024-02-22

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117954943A

主分类号:H01S1/00

分类号:H01S1/00;H05H9/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要:本发明提供一种高效贝塞尔太赫兹辐射产生装置,包括依次排布在第一轴线上的直线加速器、激光电子束调制系统和太赫兹辐射段,位于激光电子束调制系统上游且沿飞秒激光的传输路径依次排布在第二轴线上的脉冲展宽与分束系统和轴锥镜;脉冲展宽与分束系统和轴锥镜形成贝塞尔太赫兹激光;激光电子束调制系统利用贝塞尔太赫兹激光对直线加速器提供的电子束进行能量调制,生成带有横向贝塞尔调制的纵向太赫兹密度调制的电子束;太赫兹辐射段的磁场强度被调节以使得所述电子束产生贝塞尔太赫兹辐射。本发明还提供相应的方法。本发明的辐射产生装置及方法既提高基于自由电子激光产生太赫兹辐射的辐射效率,又提高太赫兹波在自由空间传输的传输距离。

主权项:1.一种高效贝塞尔太赫兹辐射产生装置,其特征在于,包括依次排布在第一轴线上的直线加速器、一激光电子束调制系统和一太赫兹辐射段,以及位于激光电子束调制系统上游且沿飞秒激光的传输路径依次排布在第二轴线上的脉冲展宽与分束系统和轴锥镜;所述脉冲展宽与分束系统和轴锥镜用于形成贝塞尔太赫兹激光;所述激光电子束调制系统设置为利用贝塞尔太赫兹激光对直线加速器提供的电子束进行能量调制,随后生成带有横向贝塞尔调制的纵向太赫兹密度调制的电子束;所述太赫兹辐射段的磁场强度被调节以使得所述电子束产生贝塞尔太赫兹辐射。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海高等研究院 一种高效贝塞尔太赫兹辐射产生装置及产生方法

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