申请/专利权人:北京大学东莞光电研究院
申请日:2024-03-27
公开(公告)日:2024-04-30
公开(公告)号:CN117954331A
主分类号:H01L21/48
分类号:H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/683;C23C16/27;B82Y30/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要:本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板,包括以下步骤:S1、取异质衬底,活化异质衬底抛光面,在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干;S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜;S3、将多晶金刚石膜进行剥离;S4、在导热基片上涂覆纳米浆料,然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料;S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结,形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中,复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度,方便与器件的结合。其次,使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合,可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
主权项:1.一种金刚石复合散热基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、取表面抛光的异质衬底,在不破坏异质衬底抛光面的光洁度的前提下,用等离子体活化异质衬底抛光面,在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干;S2、用CVD金刚石生长设备在旋涂了纳米金刚石分散液并甩干后的异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜,所述多晶金刚石膜的厚度控制在10微米到100微米之间;S3、将多晶金刚石膜从异质衬底上进行剥离;S4、取一块导热基片,在其上涂覆纳米浆料,然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料;S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结,形成一种光滑表面的金刚石复合散热基板。
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权利要求:
百度查询: 北京大学东莞光电研究院 一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板
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