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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-10-28
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954338A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L21/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：一种检测模型的建立方法和应用方法，建立方法包括：提供第一晶圆，包括相对的第一面和第二面；在第一晶圆第一面内形成若干第一凹槽；提供第二晶圆，包括相对的三面和第四面；将第二晶圆与第一晶圆键合，第二晶圆的第三面朝向第一晶圆的第一面；获取若干第一凹槽在第一方向上尺寸的形变量；获取若干第一凹槽对应区域与第二晶圆的键合强度；根据所述形变量与所述键合强度，获取检测模型，所述检测模型包括第一凹槽的形变量、键合强度与第一凹槽位置的对应关系。所述方法提升了键合后晶圆检测效率。
主权项：1.一种检测模型的建立方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括相对的第一面和第二面；在第一晶圆第一面内形成若干第一凹槽；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括相对的三面和第四面；将所述第二晶圆与第一晶圆键合，所述第二晶圆的第三面朝向所述第一晶圆的第一面；获取若干所述第一凹槽在第一方向上尺寸的形变量；获取若干所述第一凹槽对应区域与第二晶圆的键合强度；根据所述形变量与所述键合强度，获取检测模型，所述检测模型包括第一凹槽的形变量、键合强度与第一凹槽位置的对应关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测模型的建立方法和应用方法
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