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【发明公布】一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法_电子科技大学长三角研究院(湖州)_202311451559.1 

申请/专利权人:电子科技大学长三角研究院(湖州)

申请日:2023-11-03

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117946668A

主分类号:C09K11/59

分类号:C09K11/59;B82Y20/00;B82Y30/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要:本发明公开了一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法,其包括以下步骤:1通过水解‑缩合反应生成干凝胶;2将干凝胶在三个平台温度下依次进行煅烧,之后将其研磨得到棕色粉末;3将棕色粉末进行刻蚀,得到氢钝化的硅量子点粉末;4将氢钝化的硅量子点粉末通过氢化硅烷化反应,得到烷基功能化的硅量子点粉末。优点是相对现有技术,1降低了近红外发射硅量子点的制备温度,可以实现在720~900℃下制备出近红外发射硅量子点,性能等同于现有技术在1100~1400℃所制备的近红外发射硅量子点;2对煅烧设备的石英管损耗较小且能耗较小,导致了成本较低,有利于近红外发射硅量子点技术的产业应用和推广。

主权项:1.一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:将三乙氧基硅烷、盐酸、无水乙醇、去离子水以物质量之比1:0.005~0.045:0.3~1.2:3.5~5.2的比例加入到烧杯中磁力搅拌后形成透明凝胶,将其置于惰性气体环境中充分干燥后得到块状干凝胶;步骤二:将干凝胶转移至石英舟,送入管式炉以氩气和氢气的混合气作为工作气体进行加热,以2~5℃min的加热速率从室温升温到300℃,之后以5~7℃min的加热速率升温到第一平台温度360℃后维持此温度25min,而后以5~10℃min的加热速率升温到第二平台温度500℃~600℃后维持此温度10~60min,再以10℃min的加热速率升温到第三平台温度720℃~900℃后维持此温度1~10h,最后停止加热并且自然降至室温,取出得到的颗粒并将其研磨成棕色粉末;步骤三:将棕色粉末加入装有氢氟酸、盐酸、无水乙醇、去离子水对应物质量之比为1:0.05~0.16:0.075~0.2:0.1~0.3的聚四氟乙烯容器中磁力搅拌,将得到的溶液离心后倒掉上清液,再加入无水乙醇离心洗涤后倒掉上清液,将沉淀倒入培养皿中在惰性气体下充分干燥后得到氢钝化的硅量子点粉末;步骤四:将氢钝化的硅量子点粉末加入装有间三甲苯和烯烃溶剂混合溶液的三口烧瓶中,在惰性气体氛围中以100~195℃油浴加热一定时间,之后自然冷却至室温,向三口烧瓶中加入无水乙醇将溶液离心后倒去上清液留下沉淀,然后将沉淀使用乙腈和氯仿的混合溶剂离心洗涤后倒去上清液,最后将留下的沉淀倒入培养皿中在惰性气体下充分干燥后得到烷基功能化的硅量子点粉末,将其分散于有机溶剂进行保存。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学长三角研究院(湖州) 一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法

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