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申请/专利权人：无锡艾妮吉新能源科技有限公司
申请日：2023-12-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117946591A
主分类号：C09G1/04
分类号：C09G1/04;B24B37/04
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明公开了一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法，所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分：偏铝酸钠0.5％～2％、聚乙烯醇2％～4％、表面活性剂0.5％～3％、消泡剂1％～3％、异构醇油酸皂0.5％～1％，余量为去离子水。本发明单晶硅碱抛光添加剂通过对各原料以及用量的限定，使得制备得到的单晶硅碱抛光添加剂能够改善碱液对单晶硅的碱腐蚀性能，在较较低减重下实现单晶硅的抛光处理，且抛光后单晶硅背面具有优异平整度和反射率，进而能够提高太阳能电池的转换效率；此外，本发明单晶硅的碱抛光方法中通过对各物质浓度以及用量的限定，实现了对单晶硅的快速抛光，且抛光效果好。
主权项：1.一种单晶硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述单晶硅碱抛光添加剂包括如下质量百分含量的组分：偏铝酸钠0.5％～2％、聚乙烯醇2％～4％、表面活性剂0.5％～3％、消泡剂1％～3％、异构醇油酸皂0.5％～1％，余量为去离子水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡艾妮吉新能源科技有限公司 一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法
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