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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-01-04
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954339A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L21/67;H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本申请提供一种测量太鼓环与减薄衬底之间的过渡台阶宽度的方法，方法包括：将太鼓环与减薄衬底之间的过渡区域定义为过渡台阶；利用机台相机在不同高度上获取晶圆的若干照片；确定圆周方向上的太鼓环的内侧边缘和减薄衬底的外侧边缘；根据太鼓环的内侧边缘和减薄衬底的外侧边缘，获取过渡台阶的宽度。本申请通过调节机台相机的高度，利用机台相机在不同高度上获取晶圆的若干照片，并且通过照片确定太鼓环的内侧边缘和减薄衬底的外侧边缘，从而精确测量圆周方向上多个时钟点位的过渡台阶的宽度，补偿了机台相机分辨率的不足，避免了后续环切工艺中环切位置偏移造成的晶圆裂纹甚至破片的情况，提高了环切的可靠性和效率。
主权项：1.一种测量太鼓环与减薄衬底之间的过渡台阶宽度的方法，提供一晶圆，所述晶圆包括：太鼓环与减薄衬底，所述太鼓环位于所述减薄衬底外侧并且环绕所述减薄衬底设置，其特征在于，测量太鼓环与减薄衬底之间的过渡台阶宽度的方法包括：将太鼓环与减薄衬底之间的过渡区域定义为过渡台阶；通过调节机台相机的高度，利用所述机台相机在不同高度上获取所述晶圆的若干照片；根据所述照片，确定圆周方向上的所述太鼓环的内侧边缘和所述减薄衬底的外侧边缘；根据所述太鼓环的内侧边缘和所述减薄衬底的外侧边缘，获取圆周方向上多个时钟点位的所述过渡台阶的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 测量太鼓环与减薄衬底之间的过渡台阶宽度的方法
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