申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954376A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供一种控制有效场高度的方法，提供衬底，在衬底上形成叠层，叠层自下而上依次堆叠的栅氧化层、浮栅多晶硅层和硬掩膜层组成；图形化硬掩膜层以定义出浅沟槽隔离的形成区域，之后利用刻蚀在衬底上形成贯通叠层的沟槽，利用淀积、研磨形成填充沟槽的浅沟槽隔离，去除剩余的硬掩膜层；利用湿法刻蚀去除部分的浅沟槽隔离，使得浅沟槽隔离的顶端为U型形貌；利用干法刻蚀的方法刻蚀浅沟槽隔离，使得浅沟槽隔离的顶端为平坦形貌；获取浅沟槽隔离顶端至衬底表面的第一高度，刻蚀浅沟槽隔离，使得浅沟槽隔离的顶端为平坦形貌；利用湿法刻蚀的方法刻蚀浅沟槽隔离层。本发明能够精准控制浅沟槽隔离的场高度，改善浅沟槽隔离的形貌。

主权项：1.一种控制有效场高度的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成叠层，所述叠层自下而上依次堆叠的栅氧化层、浮栅多晶硅层和硬掩膜层组成；步骤二、图形化所述硬掩膜层以定义出浅沟槽隔离的形成区域，之后利用刻蚀在所述衬底上形成贯通所述叠层的沟槽，利用淀积、研磨形成填充所述沟槽的浅沟槽隔离，去除剩余的所述硬掩膜层；步骤三、利用湿法刻蚀去除部分的所述浅沟槽隔离，使得所述浅沟槽隔离的顶端为U型形貌；步骤四、利用干法刻蚀的方法刻蚀所述浅沟槽隔离，使得所述浅沟槽隔离的顶端为平坦形貌；步骤五、获取所述浅沟槽隔离顶端至所述衬底表面的第一高度，利用干法刻蚀的方法刻蚀所述浅沟槽隔离，使得所述浅沟槽隔离的顶端为平坦形貌，且其顶端到所述衬底表面为所需的第二高度；步骤六、利用湿法刻蚀的方法刻蚀所述浅沟槽隔离层，使得其顶端为U型形貌，所述U型形貌的底端到所述衬底表面为所需的第三高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 控制有效场高度的方法

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