申请/专利权人：广西喜荟天成科技有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117943901A

主分类号：B24B1/00

分类号：B24B1/00;B24B27/06;B24B29/02;B24B57/02;B24D5/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：本发明属于宝石加工领域，涉及一种SiC莫桑石的切割打磨工艺；本发明的一种SiC莫桑石的切割打磨工艺是利用抛光盘和莫桑钻的点线接触，莫桑石和抛光盘之间加入水基抛光液，抛光液由水和十二烷基硫酸钠组成，两物质的质量比2500:1‑3500:1，抛光盘转速为1600‑2000rmin，抛光液添加速度60‑80mlmin；使用水基抛光液相对于油基抛光液，一方面可以更快的带走因切割抛光而产生的大量热量，减少对莫桑石的热损伤，而且在过热条件下，油基抛光液会和莫桑石表面产生反应，生成一层薄膜，导致其色泽受到影响；另一方面还能减少清洗过程中油基抛光液的残留，提高莫桑石的品质等级。

主权项：1.一种SiC莫桑石的切割打磨工艺，其特征在于，利用抛光盘和莫桑钻的点线接触，莫桑石和抛光盘之间加入水基抛光液，抛光液由水和十二烷基硫酸钠组成，两物质的质量比2500:1-3500:1，抛光盘转速为1600-2000rmin，抛光液添加速度60-80mlmin；所述的抛光盘的外圆直径为150-200mm，内圆直径为40-70mm，内孔直径为13-15mm，厚度为13-16mm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广西喜荟天成科技有限公司 一种SiC莫桑石的切割打磨工艺

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