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申请/专利权人：深圳市福斯特半导体有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117943252A
主分类号：B05C5/02
分类号：B05C5/02;B05C13/02;B05B15/50;H01L21/677;H01L21/56
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件封装装置，包括工作台，工作台的上端面转动设置有输送带，工作台的上端面固定有安装罩，安装罩内升降活动设置有升降板，升降板的上端面固定贯穿设置有多个点涂针，每个点涂针上均设置有供胶组件，安装罩的内壁上固定有固定板，固定板的下端面固定有多个L形板，每个L形板的上表面均开设有通孔，点涂针活动贯穿对应的通孔，固定板上还设置有多个配合对应L形板使用的清理组件；本发明在使用的过程中，可以刮除掉涂针侧壁表面黏附的树脂粘合剂，避免黏附在点涂针表面的树脂粘合剂聚集过多，逐渐固化，影响点涂针的出胶量。
主权项：1.一种碳化硅MOSFET器件封装装置，包括工作台（1），其特征在于，所述工作台（1）的上端面转动设置有输送带（2），工作台（1）的上端面固定有安装罩（3），安装罩（3）内升降活动设置有升降板（4），升降板（4）的上端面固定贯穿设置有多个点涂针（5），每个点涂针（5）上均设置有供胶组件，安装罩（3）的内壁上固定有固定板（6），固定板（6）的下端面固定有多个L形板（7），每个L形板（7）的上表面均开设有通孔，点涂针（5）活动贯穿对应的通孔，固定板（6）上还设置有多个配合对应L形板（7）使用的清理组件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市福斯特半导体有限公司 一种碳化硅MOSFET器件封装装置及其封装工艺
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