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申请/专利权人：日东电工株式会社
申请日：2023-10-24
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117946601A
主分类号：C09J7/40
分类号：C09J7/40;C08J7/04;C08L45/00
优先权：["20221031 JP 2022-174061"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：本发明涉及剥离衬垫。本发明提供适合于在抑制聚硅氧烷剥离层的厚度的同时确保轻剥离性的剥离衬垫。剥离衬垫X具有基材膜10和作为聚硅氧烷剥离层的剥离层20。基材膜10具有第一面11和与该第一面11相反的一侧的第二面12。剥离层20配置在基材膜10的第一面11上。剥离层20具有100nm以下的厚度。基材膜10的第一面11的最大高度粗糙度Rz相对于剥离层20的厚度的比率为1以下。
主权项：1.一种剥离衬垫，其中，所述剥离衬垫具有：基材膜，所述基材膜具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面；和聚硅氧烷剥离层，所述聚硅氧烷剥离层配置在所述基材膜的所述第一面上，所述聚硅氧烷剥离层具有100nm以下的厚度，所述第一面的最大高度粗糙度Rz相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为1以下。
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皖公网安备 34010402703815号