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申请/专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日：2024-01-06
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117947511A
主分类号：C30B28/06
分类号：C30B28/06;C30B29/06;B22D27/20;B22D7/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：本发明公开了用于半熔工艺的籽晶层及高效多晶硅锭的制备方法，所述籽晶层铺设在坩埚底部，所述籽晶层包括第一籽晶层和第二籽晶层，所述的第一籽晶层由纯籽晶料组成，所述的第二籽晶层由掺杂籽晶料组成；所述第一籽晶层设置在所述坩埚内侧边缘，所述第二籽晶层设置在所述第一籽晶层的内侧，且所述第一籽晶层和所述第二籽晶层覆盖所述坩埚的底部。本发明在加热熔化过程中第二籽晶层内掺杂籽晶料与第一籽晶层内纯籽晶料同时熔化，从而使得坩埚底部整体预留籽晶层高度的一致性，同时保障高效多晶整体形核效果。
主权项：1.一种用于半熔工艺的籽晶层，其特征在于，所述籽晶层铺设在坩埚底部，所述籽晶层包括第一籽晶层和第二籽晶层，所述的第一籽晶层由纯籽晶料组成，所述的第二籽晶层由掺杂籽晶料组成；所述第一籽晶层设置在所述坩埚内侧边缘，所述第二籽晶层设置在所述第一籽晶层的内侧，且所述第一籽晶层和所述第二籽晶层覆盖所述坩埚的底部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新余赛维铸晶技术有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 用于半熔工艺的籽晶层及高效多晶硅锭的制备方法
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