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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;清华大学
申请日：2024-01-11
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117956795A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本公开提供了动态随机存取存储器DRAM单元结构及其操作方法。根据本公开的DRAM单元结构包括：存储电容器，包括第一电极和连接到源极线的第二电极；以及选通晶体管，包括：竖直延伸的有源区，包括沿竖直方向从下而上依次设置的第一源漏区、沟道区和第二源漏区，其中第一和第二源漏区中的一个连接到位线，并且另一个连接到存储电容器的第一电极；以及第一和第二栅结构，其中第一栅结构沿竖直方向设置在沟道区的第一侧，并且第二栅结构沿竖直方向设置在沟道区的与第一侧相对的第二侧，其中第一栅结构和第二栅结构在竖直方向上彼此错开并且具有交叠区域。根据本公开的DRAM单元结构及其操作方法，能够降低选通晶体管的漏电流，从而改善开关特性。
主权项：1.一种动态随机存取存储器DRAM单元结构，包括：存储电容器，包括第一电极和第二电极，其中，所述第二电极连接到源极线；以及选通晶体管，包括：竖直延伸的有源区，包括沿竖直方向从下而上依次设置的第一源漏区、沟道区和第二源漏区，其中，所述第一源漏区和所述第二源漏区中的一个连接到位线，并且所述第一源漏区和所述第二源漏区中的另一个连接到所述存储电容器的第一电极；以及第一栅结构和第二栅结构，其中，所述第一栅结构沿所述竖直方向设置在所述沟道区的第一侧，并且所述第二栅结构沿所述竖直方向设置在所述沟道区的与所述第一侧相对的第二侧，以及其中，所述第一栅结构和所述第二栅结构在竖直方向上彼此错开并且具有交叠区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院;清华大学 动态随机存取存储器单元结构及其操作方法
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