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申请/专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954483A
主分类号：H01L29/74
分类号：H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明公开了一种横向结构的可控硅芯片，包括N‑型硅衬底，所述N－型硅衬底的上端设置有P型阳极区、P型阴极区、N+型阴极区、N+型截止环、阳极电极、阴极电极、门极电极和表面钝化层，所述P型阳极区和P型阴极区对称设置在N‑型硅衬底上端的两侧，所述N+型阴极区设置在P型阴极区上端面的内侧，所述N+型截止环设置在N‑型硅衬底上端围绕在P型阳极区、P型阴极区外侧，所述阳极电极设置在P型阳极区上端面，所述阴极电极设置在N+型阴极区上端面。本发明可控硅芯片将有源区设置在芯片正面，取消了P+型穿通环结构的设计，且无需分压环就能满足VDRM＞900V的要求，节省了芯片面积，降低了制造成本，提高了生产效率。
主权项：1.一种横向结构的可控硅芯片，包括N-型硅衬底（1），其特征在于：所述N-型硅衬底（1）的上端设置有P型阳极区（2）、P型阴极区（3）、N+型阴极区（4）、N+型截止环（5）、阳极电极（6）、阴极电极（7）、门极电极（8）和表面钝化层（9）；所述P型阳极区（2）和P型阴极区（3）对称设置在N-型硅衬底（1）上端的两侧；所述N+型阴极区（4）设置在P型阴极区（3）上端面的内侧；所述N+型截止环（5）设置在N-型硅衬底（1）上端围绕在P型阳极区（2）、P型阴极区（3）外侧；所述阳极电极（6）设置在P型阳极区（2）上端面，所述阴极电极（7）设置在N+型阴极区（4）上端面，所述门极电极（8）设置在P型阴极区（3）上端位于N+型阴极（4）区的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法
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