申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-09-19

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957643A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L21/02;H01J37/32;H10B41/27;H10B43/27

优先权：["20211007 US 63/253,487","20220906 US 17/903,913"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本文揭露的实施方式包括蚀刻3D结构的方法。在一实施方式中，该方法包括：在微波等离子体腔室中提供3D结构。在一实施方式中，3D结构包括基板，以及在基板上方的交替的氧化硅层和氮化硅层。在一实施方式中，该方法进一步包括：使第一气体流入该微波等离子体腔室，其中该第一气体包括硫和氟。在一实施方式中，该方法包括：使第二气体流入该微波等离子体腔室，其中该第二气体包括惰性气体。在一实施方式中，该方法进一步包括：在该微波等离子体腔室中撞击等离子体，及蚀刻该氮化硅，其中氮化硅对氧化硅的蚀刻选择性为50：1或更大。

主权项：1.一种蚀刻3D结构的方法，包括：在微波等离子体腔室中提供所述3D结构，其中所述3D结构包括：基板；及在所述基板上方的交替的氧化硅层和氮化硅层；使第一气体流入所述微波等离子体腔室，其中所述第一气体包括硫和氟；使第二气体流入所述微波等离子体腔室，其中所述第二气体包括惰性气体；在所述微波等离子体腔室中撞击等离子体；及蚀刻所述氮化硅，其中氮化硅对氧化硅的蚀刻选择性为50∶1或更大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用微波等离子体低温选择性蚀刻氮化硅

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