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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-10-21
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954322A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第二区内形成半导体层，半导体层的材料与衬底的材料不同；对第一区和第二区进行图形化处理，在第一区内形成若干初始第一鳍部、以及在第二区内形成若干初始第二鳍部，初始第一鳍部具有第一宽度尺寸，初始第二鳍部具有第二宽度尺寸，第一宽度尺寸大于第二宽度尺寸；对初始第一鳍部和初始第二鳍部进行刻蚀处理，使得初始第一鳍部形成第一鳍部，初始第二鳍部形成第二鳍部，且第一鳍部的宽度尺寸和第二鳍部的宽度尺寸位于预设的宽度尺寸的范围内。以此减小由第一鳍部和第二鳍部形成的晶体管的性能差异，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻接的第一区和第二区；在所述第二区内形成半导体层，所述半导体层的材料与所述衬底的材料不同；对所述第一区和所述第二区进行图形化处理，在所述第一区内形成若干相互分立的初始第一鳍部、以及在所述第二区内形成若干相互分立的初始第二鳍部，所述初始第一鳍部具有第一宽度尺寸，所述初始第二鳍部具有第二宽度尺寸，所述第一宽度尺寸大于所述第二宽度尺寸；对所述初始第一鳍部和所述初始第二鳍部进行刻蚀处理，所述刻蚀处理对所述初始第一鳍部的刻蚀速率大于对所述初始第二鳍部的刻蚀速率，使得所述初始第一鳍部形成第一鳍部，所述初始第二鳍部形成第二鳍部，且所述第一鳍部的宽度尺寸和所述第二鳍部的宽度尺寸位于预设的宽度尺寸的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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