申请/专利权人:冲电气工业株式会社
申请日:2023-08-17
公开(公告)日:2024-04-30
公开(公告)号:CN117954535A
主分类号:H01L33/00
分类号:H01L33/00;H01L33/48;H01L21/304
优先权:["20221028 JP 2022-173002"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要:半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。在研磨步骤中,能够准确地控制半导体层的精加工厚度。半导体元件的制造方法具有以下步骤:在蓝宝石基板11上形成具有蓝宝石基板侧的第1面12s及其相反侧的第2面12t的多个半导体层12的步骤;接合步骤,将多个半导体层的第2面隔着粘接部件14与保持部件15接合;剥离步骤,对多个半导体层的第1面照射激光,将多个半导体层从蓝宝石基剥离;以及研磨步骤,对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部12h。在研磨步骤中进行研磨,直到研磨用标记部在研磨面露出为止。
主权项:1.一种半导体元件的制造方法,该半导体元件的制造方法具有以下步骤:在蓝宝石基板上形成具有所述蓝宝石基板侧的第1面及其相反侧的第2面的多个半导体层的步骤;接合步骤,将所述多个半导体层的所述第2面隔着粘接部件与保持部件接合;剥离步骤,对所述多个半导体层的所述第1面照射激光,将所述多个半导体层从所述蓝宝石基板剥离;以及研磨步骤,对所述多个半导体层的所述第1面进行研磨,所述多个半导体层中的至少1个半导体层具有从所述第2面朝向所述第1面延伸的研磨用标记部,在所述研磨步骤中进行研磨,直到所述研磨用标记部在研磨面露出为止。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 冲电气工业株式会社 半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板
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