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申请/专利权人：海朴精密材料(苏州)有限责任公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117947505A
主分类号：C30B25/02
分类号：C30B25/02;G21H1/10;C30B25/18;C30B29/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明涉及热离子型燃料电池技术领域，尤其涉及一种管状基体表面钨单晶涂层及其制备方法与应用。制备方法包括：将钼单晶基体管和高纯钨原料管同轴放置；以卤化钨气体作为输运剂，采用化学气相输运沉积方法在钼单晶基体管表面外延生长钨单晶涂层；控制高纯钨原料管温度为400~800℃，钼单晶基体管温度为1000~1600℃；钼单晶基体管的外管壁与高纯钨原料管的内管壁间距3~20mm；沉积速率为0.6~0.8mmh；沉积压力为7×10‑4Pa~7×10‑3Pa。本发明通过优化钼单晶基体管与高纯钨原料管的放置方式及其二者间距，能够获得厚度均匀一致、单晶完整性高的钨单晶涂层，钨涂层与基体结合力更好。
主权项：1.一种管状钼单晶基体表面钨单晶涂层的制备方法，其特征在于，包括：将钼单晶基体管和高纯钨原料管同轴放置，所述钼单晶基体管在内，所述高纯钨原料管在外；以卤化钨气体作为输运剂，采用化学气相输运沉积的方法在所述钼单晶基体管表面沉积生成钨单晶涂层；在进行所述化学气相输运沉积的过程中，控制高纯钨原料管的温度为400~800℃，所述钼单晶基体管的温度为1000~1600℃；其中，所述钼单晶基体管的外管壁与所述高纯钨原料管的内管壁间距3~20mm；所述化学气相输运沉积的沉积速率为0.6~0.8mmh；所述化学气相输运沉积的沉积压力为7×10-4Pa~7×10-3Pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海朴精密材料(苏州)有限责任公司 一种管状钼单晶基体表面钨单晶涂层及其制备方法与应用
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