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申请/专利权人：苏州大学
申请日：2022-10-28
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954473A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于改善现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的沟道区域，该沟道区域中设置有载流子阻隔区；其中，当器件关闭时，载流子阻隔区用于阻隔自源极区域向漏极区域运动的载流子。
主权项：1.一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，包括有源层，其特征在于，所述有源层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的沟道区域，所述沟道区域中设置有载流子阻隔区；其中，当器件关闭时，所述载流子阻隔区用于阻隔自源极区域向漏极区域运动的载流子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州大学 具有阻隔区的场效应晶体管器件
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