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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-09-01
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117956787A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221027 KR 10-2022-0140506"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域连接区域；单元字线，所述单元字线在所述衬底的所述单元区域上跨所述多个有源区域沿第一水平方向延伸；单元位线，所述单元位线包括单元金属导电图案，所述单元金属导电图案在所述衬底的所述单元区域上沿第二水平方向延伸；以及连接位线，所述连接位线包括连接金属导电图案，所述连接金属导电图案在所述衬底的所述连接区域上沿所述第二水平方向延伸。所述连接位线的顶表面可以位于等于或低于所述单元位线的顶表面的垂直高度，并且所述连接金属导电图案在垂直方向上的高度等于或大于所述单元金属导电图案在所述垂直方向上的高度。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括单元区域和围绕所述单元区域的连接区域；多个单元器件隔离层，所述多个单元器件隔离层位于所述衬底的所述单元区域中，并且在所述衬底的所述单元区域中限定多个有源区域；单元字线，所述单元字线在所述衬底的所述单元区域上跨所述多个有源区域沿第一水平方向延伸；单元位线，所述单元位线包括单元金属导电图案，所述单元金属导电图案在所述衬底的所述单元区域上沿第二水平方向延伸，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；以及连接位线，所述连接位线包括连接金属导电图案，所述连接金属导电图案在所述衬底的所述连接区域上沿所述第二水平方向延伸，其中，所述连接位线的顶表面位于等于或低于所述单元位线的顶表面的垂直高度，并且所述连接金属导电图案在垂直方向上的高度等于或大于所述单元金属导电图案在所述垂直方向上的高度。
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