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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日：2023-08-18
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954459A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：["20221027 US 17/975,165"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：本公开涉及一种具有非对称钝化隔离结构的图像传感器及其方法。描述一种用于图像传感器的像素。所述像素包括安置在半导体衬底内并介于所述半导体衬底的第一侧与第二侧之间的光电二极管及隔离结构。所述隔离结构包含耦合到所述隔离结构的第一侧壁及第二侧壁的底部侧壁。所述隔离结构至少部分地安置在栅极电极与所述半导体衬底的所述第二侧之间。所述半导体衬底的第一植入区域被安置成接近于所述隔离结构的所述第一侧壁。所述第一植入区域安置在所述光电二极管与所述第一侧壁之间。所述第一植入区域的第一掺杂剂浓度大于所述半导体衬底的体掺杂剂浓度。
主权项：1.一种用于图像传感器的像素，所述像素包括：光电二极管，其安置在半导体衬底内介于所述半导体衬底的第一侧与第二侧之间，所述第二侧与所述第一侧相对；隔离结构，其安置在所述半导体衬底内并从所述第一侧朝向所述第二侧延伸，其中所述隔离结构包含第一侧壁、第二侧壁以及耦合到所述第一侧壁及所述第二侧壁的底部表面；栅极电极，其被安置成接近于所述半导体衬底的所述第一侧，其中所述隔离结构至少部分地安置在所述栅极电极与所述半导体衬底的所述第二侧之间；及所述半导体衬底的第一植入区域，其被安置成接近于所述隔离结构的所述第一侧壁，其中所述第一植入区域进一步被安置在所述光电二极管与所述第一侧壁之间，且其中所述第一植入区域的第一掺杂剂浓度大于所述半导体衬底的体掺杂剂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技股份有限公司 具有非对称钝化隔离结构的图像传感器及其方法
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