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【发明公布】一种分裂字线的存内计算电路及存储器_中科南京智能技术研究院_202410071141.6 

申请/专利权人:中科南京智能技术研究院

申请日:2024-01-17

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117953941A

主分类号:G11C11/408

分类号:G11C11/408;G11C11/4094;G11C11/4097

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要:本发明公开了一种分裂字线的存内计算电路及存储器,涉及集成电路技术领域,在读取数据时,第一字线控制第一外侧读写开关导通,第二字线控制第一内侧写开关截止。第一位线通过第一虚拟存储节点读取数据。第一字线控制第二外侧读写开关导通,第三字线控制第二内侧写开关截止。第二位线通过第二虚拟存储节点读取数据。因第一真实存储节点存储的数据与第一虚拟存储节点存储的数据相同,第二真实存储节点存储的数据与第二虚拟存储节点存储的数据相同,所以读取第一虚拟存储节点、第二虚拟存储节点的数据即可。本申请在读取数据时,通过内侧写开关防止了位线与真实存储节点直接相连,导致真实存储节点抵制噪声的能力得到增强。

主权项:1.一种分裂字线的存内计算电路,其特征在于,所述存内计算电路包括:存储电路,所述存储电路用于存储数据;第一外侧读写开关和第一内侧写开关,所述第一外侧读写开关的控制端连接第一字线,所述第一外侧读写开关的两端分别连接所述第一内侧写开关的第一端和第一位线,所述存储电路的第一真实存储节点连接所述第一内侧写开关的第二端,所述第一内侧写开关的控制端连接第二字线;第一低电平开关和第一高电平开关,所述第一低电平开关的第一端接收低电平信号,所述第一高电平开关的第一端接收高电平信号,所述第一低电平开关的第二端连接所述第一高电平开关的第二端、所述存储电路的第一低电平输入端以及所述第一外侧读写开关与所述第一内侧写开关的连接端,以作为第一虚拟存储节点;在写入数据时,所述第一外侧读写开关和所述第一内侧写开关导通,第一位线将数据写入所述第一真实存储节点和所述第一虚拟存储节点;在读取数据时,所述第一外侧读写开关导通,所述第一内侧写开关截止,第一位线通过所述第一虚拟存储节点读取数据。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中科南京智能技术研究院 一种分裂字线的存内计算电路及存储器

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