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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-01-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954387A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明提供一种改善金属零层缺陷的方法，提供衬底，衬底上形成集成电路器件；在衬底上形成第一层间介质层，在第一层间介质层上形成开口图形用以定义出金属零层的形成区域，利用淀积、研磨在开口图形上形成金属零层；在金属零层的上表面形成疏水材料层；形成覆盖第一层间介质层的第一硬掩膜层，在第一硬掩膜层上形成高阻层和位于高阻层上的第二硬掩膜层；图形化第二硬掩膜层使得部分高阻层裸露，刻蚀去除裸露的高阻层；形成覆盖高阻层、第二硬掩膜层的第二层间介质层，在第二层间介质层上分别形成与高阻层、疏水材料层连通的通孔；去除裸露的疏水材料层，在通孔中分别形成与高阻层、疏水材料层形成电接触的金属层。本发明能够金属零层的损失缺陷。
主权项：1.一种改善金属零层缺陷的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成集成电路器件；步骤二、在所述衬底上形成第一层间介质层，在所述第一层间介质层上形成开口图形用以定义出金属零层的形成区域，利用淀积、研磨在所述开口图形上形成金属零层；步骤三、在所述金属零层的上表面形成疏水材料层；步骤四、形成覆盖所述第一层间介质层的第一硬掩膜层，在所述第一硬掩膜层上形成高阻层和位于所述高阻层上的第二硬掩膜层；步骤五、图形化所述第二硬掩膜层使得部分所述高阻层裸露，刻蚀去除裸露的高阻层；步骤六、形成覆盖所述高阻层、所述第二硬掩膜层的第二层间介质层，在所述第二层间介质层上分别形成与所述高阻层、所述疏水材料层连通的通孔；步骤七、去除裸露的所述疏水材料层，在所述通孔中分别形成与所述高阻层、所述疏水材料层形成电接触的金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善金属零层缺陷的方法
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