申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947392A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/54;C23C14/16;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及一种控制薄膜应力的薄膜制备方法，设置有两支流量不同的氩气支路，氩气孔先接通第一氩气支路，向腔室中通入大量氩气以降低因沉积Ti薄膜而产生的热量；氩气孔再接通第二氩气支路，且自氩气孔和氮气孔向腔室中通入预设流量比的氩气和氮气；开启溅射电源模块，使靶材粒子积淀到待镀膜晶圆片上，生长出目标层；氩气孔再接通第一氩气支路，向腔室中通入大量氩气，以降低因沉积目标层而产生的热量，从而降低薄膜的热应力，最后停止通气完成镀膜；通过第一氩气支路所提供的大流量氩气，在磁控溅射过程中，分别降低NiV薄膜沉积时所产生的热量，从而降低NiV薄膜应力，进一步提高产品的稳定性。

主权项：1.一种控制薄膜应力的薄膜制备方法，其特征在于，所述薄膜制备方法基于磁控溅射装置实现，所述磁控溅射装置包括腔室、溅射电源模块、气控模块；所述腔室的底侧设置有基座，所述基座用于放置待镀膜晶圆片，所述腔室的顶侧连接有用于安装靶材的槽体，且所述晶圆片与所述靶材相对设置以使所述靶材的粒子溅射至所述晶圆片；所述溅射电源模块设置于靠近所述靶材的一侧；所述腔室开设有门阀、氮气孔和氩气孔；所述氩气孔连接有第一氩气支路和第二氩气支路；所述第一氩气支路的气体流量大于所述第二氩气支路的气体流量；所述薄膜制备方法包括以下步骤：S1：将具有粘附层的待镀膜晶圆片放置于所述基座上；S2：启动所述气控模块，关闭所述门阀，所述氩气孔与所述第一氩气支路接通，向腔室中通入氩气；S3：停止通入氩气，经过第一预设时间后，开启所述门阀，持续抽真空，使所述腔室的压强不低于第一参数；S4：断开第一氩气支路，所述气控模块控制所述氩气孔与所述第二氩气支路接通，自所述氩气孔和所述氮气孔向所述腔室中通入预设流量比的氩气和氮气；S5：开启溅射电源模块，使所述靶材溅射目标金属粒子，所述目标金属粒子中的部分与氮气形成目标化合物沉积在所述待镀膜晶圆片的粘附层上，所述目标化合物与所述目标金属粒子共同形成目标层；S6：关闭溅射电源模块，断开第二氩气支路、停止向腔室内通入氮气和氩气，关闭门阀、停止抽真空；S7：所述氩气孔接通所述第一氩气支路，向所述腔室中通入氩气；S8：停止通入氩气，经过第二预设时间后，开启所述门阀，持续抽真空，使所述腔室的压强不低于第一参数。

全文数据：

权利要求：

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