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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2023-10-17
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117956789A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20221028 JP 2022-172931"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：提供一种能够高集成化的存储装置。一种存储单元包括第一晶体管及第二晶体管的存储装置，作为两个晶体管使用设置在绝缘层中的开口部的侧面具有沟道形成区域的占有面积小的纵向晶体管。存储单元包括具有第一晶体管的栅电极的功能及第二晶体管的源电极和漏电极中的一个功能的导电体。存储单元被交错配置，因此可以实现集成度高的存储装置。
主权项：1.一种存储装置，包括：交错配置的多个存储单元；第一布线；第二布线；第三布线；以及第四布线，其中，所述多个存储单元分别包括第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管位于所述第一晶体管的上方，所述第一晶体管包括：具有形成在贯穿所述第三布线及第一绝缘体的第一开口部的侧面的区域的第一半导体；与所述第一半导体接触且覆盖所述第一开口部的第二绝缘体；以及与所述第二绝缘体接触且嵌入所述第一开口部的第一导电体，所述第一半导体具有在所述第一开口部的底部与所述第二布线接触的区域，所述第二晶体管包括：具有形成在贯穿所述第四布线及第三绝缘体的第二开口部的侧面的区域的第二半导体；与所述第二半导体接触且覆盖所述第二开口部的第四绝缘体；以及与所述第四绝缘体接触且嵌入所述第二开口部的第二导电体，所述第二半导体具有在所述第二开口部的底部与所述第一导电体接触的区域，所述第一布线位于所述第二导电体上，当包含所述第一开口部的俯视时的形状的最小圆的直径为D1且包含所述第一导电体的俯视时的形状的最小圆的直径为D2时，所述第二布线的宽度为D1以上且D2以下，并且，所述第三布线的宽度及所述第四布线的宽度都大于D2且为2×D2以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 存储装置
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