申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117956790A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20221028 KR 10-2022-0140980"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；位线，提供在衬底上并在第一方向上延伸；第一有源图案和第二有源图案，在每条位线上沿第一方向交替地布置；背栅电极，设置在第一有源图案和第二有源图案中的相邻的第一有源图案和第二有源图案之间，并在第二方向上延伸以与位线交叉；第一字线和第二字线，分别与第一有源图案和第二有源图案相邻设置并在第二方向上延伸；以及屏蔽导电图案，包括分别设置在位线中的相邻位线之间的线部分和共同连接到线部分的板部分。屏蔽导电图案的线部分在第一方向上的长度可以比位线在第一方向上的长度短。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；位线，提供在所述衬底上并且在第一方向上延伸；第一有源图案和第二有源图案，设置在每条所述位线上并且在所述第一方向上交替地布置；背栅电极，分别设置在所述第一有源图案和所述第二有源图案中的相邻的第一有源图案和第二有源图案之间，并且在第二方向上延伸以与所述位线交叉；第一字线，分别与所述第一有源图案相邻设置并且在所述第二方向上延伸；第二字线，分别与所述第二有源图案相邻设置并且在所述第二方向上延伸；以及屏蔽导电图案，包括分别设置在所述位线中的相邻位线之间的线部分和共同连接到所述线部分的板部分，其中，当在所述第一方向上测量时，所述屏蔽导电图案的所述线部分的长度比所述位线的长度短。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD