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申请/专利权人：意法半导体(R&D)有限公司
申请日：2023-10-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117949084A
主分类号：G01J1/44
分类号：G01J1/44;H01L27/146
优先权：["20221027 US 17/975,093"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本公开涉及高计数率被动淬灭SPAD。一种单光子雪崩二极管SPAD阵列包括多个像素。每个像素包括：SPAD，具有连接至第一中间节点的阴极以及耦合至第一负电压的阳极；淬灭电路，被连接在第一中间节点和低电压供应节点之间；AC耦合元件，被连接在所述第一中间节点和第二中间节点之间；滤波器组件，被连接在高电压节点和第二中间节点之间；以及逆变器，其输入被连接至第二中间节点并且其输出提供输出信号。与淬灭电路相关联的电阻、与SPAD相关联的电容、与AC耦合元件相关联的电容和与滤波器组件相关联的电阻形成可变二阶滤波器。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管SPAD阵列，包括：多个像素，每个像素包括：SPAD，具有连接至第一中间节点的阴极以及至少通过深沟槽隔离寄生电容耦合至第一负电压的阳极；晶体管电路，包括：淬灭晶体管，被连接在高电压节点和第一晶体管电路节点之间，所述淬灭晶体管由淬灭控制信号控制；使能晶体管，被连接在所述第一晶体管电路节点和第二晶体管电路节点之间，所述使能晶体管由使能信号控制；以及共源共栅晶体管，被连接在所述第二晶体管电路节点和所述第一中间节点之间，所述共源共栅晶体管由共源共栅控制信号控制；AC耦合元件，被连接在所述第一中间节点和第二中间节点之间；可变滤波器组件，被连接在所述高电压节点和所述第二中间节点之间；镇流器电容器，被连接在所述第二中间节点和接地节点之间；以及逆变器，所述逆变器的输入被连接至所述第二中间节点，并且所述逆变器的输出提供输出信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(R&D)有限公司 高计数率被动淬灭SPAD
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