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申请/专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日：2023-12-22
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117947512A
主分类号：C30B29/04
分类号：C30B29/04;C23C16/511;C30B25/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.30#公开
摘要：本发明公开一种基于MPCVD的金刚石单晶生长方法，包括如下步骤：籽晶预处理：将金刚石籽晶表面进行打磨，使单晶金刚石籽晶生长面的粗糙度为1.6～1.8微米，再将其放置于衬底上送入MPCVD装置的腔体内；设备预准备：将腔体内的抽真空，并通入催化气体；打开加热器，对腔体进行加热处理；启动微波发生器，并向腔体内通入反应气体；金刚石籽晶开始生长。本发明的有益效果是：本技术方案通过控制单晶金刚石籽晶生长面的粗糙度，保证碳原子快速沉积于单晶金刚石籽晶生长面上，配合循环控制的升温、保温、降温、保温的操作，提升单晶金刚石生长速度的同时，充分释放生长中单晶金刚石内部的应力，提升单晶金刚石的质量、降低杂质含量。
主权项：1.一种基于MPCVD的金刚石单晶生长方法，其特征在于：包括如下步骤：1籽晶预处理：将金刚石籽晶表面进行打磨，使单晶金刚石籽晶生长面的粗糙度为1.6～1.8微米，再将其放置于衬底上送入MPCVD装置的腔体内；2设备预准备：将腔体内的抽真空，并通入催化气体；3打开加热器，对腔体进行加热处理；4启动微波发生器，并向腔体内通入反应气体；5金刚石籽晶开始生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏卓远半导体有限公司 一种基于MPCVD的金刚石单晶生长方法
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