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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2024-01-15
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954539A
主分类号：H01L33/04
分类号：H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和P型GaN层，所述空穴注入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的Si3N4层、P型AlGaNInN超晶格层及P型InGaN层；所述P型AlGaNInN超晶格层包括周期性交替层叠的P型AlGaN层和InN层。本发明的空穴注入层可以提高空穴浓度和注入效率，提高多量子阱层中电子与空穴的辐射复合效率，从而提升发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和P型GaN层，所述空穴注入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的Si3N4层、P型AlGaNInN超晶格层及P型InGaN层；所述P型AlGaNInN超晶格层包括周期性交替层叠的P型AlGaN层和InN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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