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【发明公布】一种具有硒空位的Cu2Se纳米片及其制备方法和在水系锌离子电池负极材料中的应用_苏州科技大学_202410165828.6 

申请/专利权人:苏州科技大学

申请日:2024-02-05

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117945362A

主分类号:C01B19/04

分类号:C01B19/04;H01M4/58;H01M10/36;B82Y40/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要:本发明公开了一种具有硒空位的Cu2Se纳米片及其制备方法和在水系锌离子电池负极材料中的应用;所述具有硒空位的Cu2Se纳米片的制备方法包括以下步骤:1通过加热和搅拌将十六烷基三甲基溴化铵溶解在水中;2往步骤1所得的溶液中加入NaOH、NaBH4和Se粉;3往步骤2所得的混合溶液中放入铜箔,在25‑85℃下反应0.25‑6h,得到具有硒空位的Cu2Se纳米片。本发明通过十六烷基三甲基溴化铵CTAB的调控作用,制备出的Cu2Se纳米片具有硒空位,其表现出低的嵌入电位、高的比容量。

主权项:1.一种具有硒空位的Cu2Se纳米片的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1通过加热和搅拌将十六烷基三甲基溴化铵溶解在水中;2往步骤1所得的溶液中加入NaOH、NaBH4和Se粉;3往步骤2所得的混合溶液中放入铜箔,在25-85℃下反应0.25-6h,得到具有硒空位的Cu2Se纳米片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州科技大学 一种具有硒空位的Cu2Se纳米片及其制备方法和在水系锌离子电池负极材料中的应用

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