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申请/专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954544A
主分类号：H01L33/12
分类号：H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明提供了一种可抗ESD的深紫外发光二极管，其通过在本征层与电子注入层之间依次生长第一过渡层、第二过渡层以及第一半导体层，第一过渡层以及第二过渡层用于缓解电子注入层产生的压应力，第一半导体层用于对AlGaN结构进行过渡Si掺杂，以进一步缓解电子注入层产生的压应力，从而降低电子注入层表面形成的六角柱状缺陷的密度，进而提高深紫外发光二极管的ESD性能；同时，本发明还通过在空穴注入层上形成第二半导体层，第二半导体层为整层Mg掺杂的AlGaN结构，且第二半导体层的Mg掺杂浓度沿生长方向线性递增，从而降低空穴注入层表面形成的六角柱状缺陷的密度，进一步提高深紫外发光二极管的ESD性能。
主权项：1.一种可抗ESD的深紫外发光二极管，其特征在于，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、第一过渡层、第二过渡层、第一半导体层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层、第二半导体层以及欧姆接触层；其中，所述第一过渡层为单层AlGaN结构，所述第一过渡层的Al组分含量大于或等于所述电子注入层的Al组分含量且小于或者等于所述本征层的Al组分含量；所述第二过渡层为单层AlGaN结构，且所述第二过渡层的Al组分含量沿生长方向线性递减；所述第一半导体层为整层Si掺杂的AlGaN结构，且所述第一半导体层的Si掺杂浓度沿生长方向线性递增；所述第二半导体层为整层Mg掺杂的AlGaN结构，且所述第二半导体层的Mg掺杂浓度沿生长方向线性递增。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州紫灿科技有限公司 一种可抗ESD的深紫外发光二极管
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