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【发明公布】基于门电压测定有机自旋电子件性能的方法及测定系统_吕梁学院_202410329968.2 

申请/专利权人:吕梁学院

申请日:2024-03-22

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117949799A

主分类号:G01R31/26

分类号:G01R31/26;G06F17/10;G01R33/12;G01R33/00;G01R19/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要:本发明公开了基于门电压测定有机自旋电子件性能的方法及测定系统;本发明涉及自旋电子学技术领域;使用兰道尔‑布特克公式建立载流子自旋反转的自旋流的这一过程;所需的综合模型需首先建立出跃迁概率算法;对于目标有机磁性分子器件,使用马库斯跃迁率理论,定义载流子在两格点间的跃迁概率;本发明通过引入量子蒙特卡洛法的技术方案,能够在微观尺度上精确模拟载流子在有机层中的自旋反转和跃迁过程,有助于更深入理解其中输运的物理机制。同时该技术可用于实验时预测新器件的性能表现,从而降低研发成本和时间。

主权项:1.基于门电压测定有机自旋电子件性能的方法,包括选取一接受测试的目标有机磁性分子器件并获取其理论参数值,其特征在于,对所述目标有机磁性分子器件执行如下的测定步骤:S1、建立跃迁概率模型:包括建立载流子自旋反转的自旋流目标函数,以及载流子在两格点之间的跃迁概率;S2、定义模型哈密顿量H:所述模型哈密顿量H包括格点能与跃迁积分,以及自旋-轨道耦合强度,使用自旋密度矩阵描述模型状态;S3、初始化量子蒙特卡洛模拟:定义量子蒙特卡洛模拟系统的初始状态,采用周期性边界条件实现对极化子运动的追踪;S4、进行量子蒙特卡洛模拟:给定构型空间,根据所述模型哈密顿量H模拟出每个构型的能量,通过接受拒绝准则决定是否接受新的构型;根据所述模型哈密顿量H和当前构型演化自旋状态并更新自旋密度矩阵;并记录模拟过程中的关键物理量;S5、分析模拟结果:使用所述关键物理量与理论参数值进行对比,对所述目标有机磁性分子器件的性能进行评价。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 吕梁学院 基于门电压测定有机自旋电子件性能的方法及测定系统

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