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【发明授权】器件及其形成方法_日本航空电子工业株式会社_202111212678.2 

申请/专利权人:日本航空电子工业株式会社

申请日:2021-10-18

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN114630537B

主分类号:H05K5/06

分类号:H05K5/06;H05K5/00;H05K7/00;H05K13/00

优先权:["20201211 JP 2020-205499"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.30#授权;2022.07.01#实质审查的生效;2022.06.14#公开

摘要:本发明公开了一种器件及其形成方法。器件包括基本上包括由膜形成的第一膜的第一密封构件、第二密封构件、包括第一接触点的第一电路构件和包括第二接触点的第二电路构件。该器件形成有封闭空间,该封闭空间由第一密封构件和第二密封构件所围成且与器件外的外部空间隔绝。第一电路构件和第二电路构件被封闭在封闭空间中。第一密封构件和第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。凹凸部与第一电路构件和第二电路构件中的至少一个接触,并覆盖与第一接触点和第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。本发明整个器件的厚度可以做得非常薄。

主权项:1.一种器件,包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件,其特征在于:所述第一密封构件包括由薄膜形成的第一膜;所述器件形成有封闭空间;所述封闭空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成,并与所述器件外的外部空间隔绝;所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭于所述封闭空间内;所述第一电路构件包括第一接触点;所述第二电路构件包括第二接触点;所述第一接触点与所述第二接触点在不使用固定构件的条件下凭借所述封闭空间的内部与外部之间的空气压力差而被挤压来彼此相互接触;所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个设有凹凸部;以及所述凹凸部与所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个相接触,并且覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日本航空电子工业株式会社 器件及其形成方法

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