申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院

申请日：2022-01-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN114725094B

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8258

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开

摘要：本发明公开了一种Si‑GaN单片异质集成反相器，包括：衬底、衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层之间具有隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有Si有源层；Si有源层上覆盖有栅介质层，栅介质层上设有第一栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明还提供一种Si‑GaN单片异质集成反相器制备方法，本发明的反相器可实现低静态功耗、高开关频率等特性。

主权项：1.一种Si-GaN单片异质集成反相器，其特征在于，包括：衬底10、所述衬底10上的GaN缓冲层20、位于所述GaN缓冲层20上的第一AlGaN势垒层30和第二AlGaN势垒层40；所述第一AlGaN势垒层30和所述第二AlGaN势垒层40之间具有隔离槽50，所述隔离槽50延伸至所述GaN缓冲层20内；所述第一AlGaN势垒层30上设有第一p-GaN层31，所述第一p-GaN层31上设有SiN隔离层32；所述SiN隔离层32上设有Si有源层33；所述Si有源层33上覆盖有栅介质层60，所述栅介质层60上设有第一栅电极34；所述第一栅电极34的两侧分别设有第一源电极35和第一漏电极36；所述第一源电极35和所述第一漏电极36穿过所述栅介质层60延伸至所述Si有源层33上；所述第二AlGaN势垒层40上设有第二p-GaN层41、第二源电极42和第二漏电极43；所述第二源电极42和所述第二漏电极43分别位于所述第二p-GaN层41的两侧；所述第二p-GaN层41上设有第二栅电极44；所述隔离槽50上覆盖有所述栅介质层60，所述第二AlGaN势垒层40、所述第二p-GaN层41、所述第二源电极42、所述第二漏电极43和所述第二栅电极44上覆盖有所述栅介质层60，且所述第二源电极42、所述第二漏电极43和所述第二栅电极44上的栅介质层60均开设有通孔；所述第一漏电极36与所述第二漏电极43通过第一金属互联条70电气连接；所述第一栅电极34与所述第二栅电极44通过第二金属互联条80电气连接；所述反相器的边沿具有台阶结构，所述台阶结构从所述反相器的表面延伸至所述GaN缓冲层20中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法

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