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【发明授权】离子束辅助沉积镀膜装置及镀膜方法_上海超导科技股份有限公司_202310935263.0 

申请/专利权人:上海超导科技股份有限公司

申请日:2023-07-27

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN116904955B

主分类号:C23C14/56

分类号:C23C14/56;H01B12/06;C23C14/54;C23C14/58;C23C14/34

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.30#授权;2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要:本发明提供了一种离子束辅助沉积镀膜装置,包括:源系统:包括至少一组镀膜系统和至少一组刻蚀系统,镀膜系统包括离子源、蒸发源、激光源或电子束,刻蚀系统包括离子源;真空系统:提供真空环境;走带系统:对带材进行收放卷;控制系统:在控制系统的作用下,所述走带系统进行收放卷,所述镀膜系统对处于真空环境内的带材进行镀膜和或所述刻蚀系统对处于真空环境内的带材进行刻蚀。通过对前几道走带同时进行镀膜和刻蚀,且刻蚀速度大于镀膜速度,使净沉积速度很低,但由于高的刻蚀速度,在此沉积的氧化镁会形成极优的织构度,保证同根带材两端的织构度差别<10%,最终制备的超导带材,两端的临界电流差别小于10%,进而提高了镀膜效果。

主权项:1.一种离子束辅助沉积镀膜装置,其特征在于,包括:源系统:包括至少一组镀膜系统和至少一组刻蚀系统,所述镀膜系统包括离子源、蒸发源、激光源或电子束,所述刻蚀系统包括离子源;真空系统:提供真空环境;走带系统:对带材进行收放卷;控制系统:在控制系统的作用下,所述走带系统进行收放卷,所述镀膜系统对处于真空环境内的带材进行镀膜和或所述刻蚀系统对处于真空环境内的带材进行刻蚀;所述镀膜系统发射的离子束包括聚焦束或平行束,所述刻蚀系统发射的离子束包括发散束或平行束;所述走带系统包括n道连续走带,n为带材的总道数;所述镀膜系统发出的离子束中心线与靶材的交点对应带材刻蚀镀膜区域的后二分之一n道带材区,形成带材镀膜区;所述刻蚀系统发出的离子束中心线与带材的交点位于带材刻蚀镀膜区域的前二分之一n道带材区,形成带材刻蚀区。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海超导科技股份有限公司 离子束辅助沉积镀膜装置及镀膜方法

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