申请/专利权人：北京领创医谷科技发展有限责任公司

申请日：2023-07-25

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN116943022B

主分类号：A61N1/14

分类号：A61N1/14;A61N1/05;A61N1/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本申请涉及神经刺激信号领域，包括电荷平衡电路和充电、放电方法，应用于植入式神经刺激器，包括人体组织负载，二极管D1，用于限制刺激神经刺激器的电流的流向；第一电容C1，用于积蓄电荷或释放电荷；所述电荷为刺激神经刺激器的电流在所述二极管D1导通时，加载在第一电容C1时产生的；所述第一电容C1跨接在所述第一导通控制单元两侧；第一导通控制单元，用于在刺激神经刺激器的电流控制下，控制第二导通控制单元的导通与截止；所述第一导通控制单元跨接在所述第二导通控制单元两侧；第二导通控制单元，用于在所述第一导通控制单元的控制下，控制第二电容C2处于充电状态或放电状态。本申请具有刺激过程结束后，输入人体净电荷为零的效果。

主权项：1.一种电荷平衡电路，应用于植入式神经刺激器，包括人体组织负载，其特征在于，还包括：二极管D1，用于限制刺激神经刺激器的电流的流向；第一电容C1，用于积蓄电荷或释放电荷；所述电荷为刺激神经刺激器的电流在所述二极管D1导通时，加载在第一电容C1时产生的；所述第一电容C1跨接在第一导通控制单元两侧；第一导通控制单元，用于在刺激神经刺激器的电流控制下，控制第二导通控制单元的导通与截止；所述第一导通控制单元跨接在所述第二导通控制单元两侧；第二导通控制单元，用于在所述第一导通控制单元的控制下，控制第二电容C2处于充电状态或放电状态；所述第二导通控制单元跨接在串联在一起的第二电容C2和人体组织负载的两侧；第二电容C2，用于在第二导通控制单元控制下积蓄电荷或释放电荷；所述第一导通控制单元，包括：第一PMOS管Q1，第一NMOS管Q2；所述第一PMOS管Q1的栅极和第一NMOS管Q2的栅极连接在一起，并和所述二极管D1的阳极连接在一起；所述第一PMOS管Q1的源极和所述二极管的阴极连接在一起；所述第一PMOS管Q1的漏极和第一NMOS管Q2的漏极连接在一起；所述第一NMOS管Q2的源极连接接地端GND；所述第二导通控制单元，包括第二PMOS管Q3，第二NMOS管Q4；所述第二PMOS管Q3的源极连接至二极管D1的阴极；所述第二PMOS管Q3的栅极连接至第一PMOS管Q1的漏极；所述第二PMOS管Q3的漏极和第二NMOS管Q4的漏极均与第二电容C2的一端连接；所述第二NMOS管Q4的栅极与所述第二PMOS管Q3的栅极连接在一起；所述第二NMOS管Q4的源极连接至接地端GND。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京领创医谷科技发展有限责任公司 电荷平衡电路和充电、放电方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD