申请/专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117832285B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种具有过压保护功能的低压沟槽MOSFET及其制作方法。该方法包括提供衬底，并在衬底上制作外延层；在外延层上刻蚀形成沟槽；在沟槽及外延层的上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积第一导电类型的多晶硅，多晶硅经刻蚀形成设置在外延层上侧的二极管多晶硅，二极管多晶硅的外端与截止区多晶硅连接；对二极管多晶硅的内端注入第二导电类型的元素；对有源区和最外侧的沟槽外侧的外延层内注入第二导电类型的元素，并通过推阱操作形成第一掺杂区，同时使所述二极管多晶硅形成二极管结构。本发明可实现MOSFET对工作电压的异常的检测及保护功能，提高整个电路系统的可靠性和稳定性，与现有工艺相兼容，成本更低。

主权项：1.一种具有过压保护功能的低压沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底，并在所述衬底上制作外延层；在所述外延层上刻蚀形成沟槽；在所述沟槽及外延层的上侧生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的上侧沉积第一导电类型的多晶硅，所述多晶硅经刻蚀形成设置在有源区内的沟槽内的栅区多晶硅、设置在外延层上侧的GateBus及二极管多晶硅、设置在最外侧的沟槽内的截止区多晶硅，所述二极管多晶硅的外端与截止区多晶硅连接；对所述二极管多晶硅的内端注入第二导电类型的元素；对有源区和最外侧的沟槽外侧的外延层内注入第二导电类型的元素，并通过推阱操作形成第一掺杂区，同时使所述二极管多晶硅形成二极管结构，在所述第一掺杂区内注入第一导电类型的元素，并通过推阱操作形成第二掺杂区；沉积介质层，并在所述介质层上刻蚀形成连接孔；在所述介质层的上侧及连接孔内沉积金属层，所述金属层经刻蚀形成源极金属、栅极金属、电压检测端金属和截止环金属，所述电压检测端金属与二极管结构的内端连接，所述截止环金属与截止区多晶硅连接。

全文数据：

权利要求：

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